专利名称：掩模及其制造方法、采用该掩模的半导体装置的制
造方法
专利类型：发明专利发明人：熊野畅,见方裕一申请号：CN200310123273.7申请日：20031223公开号：CN1510719A公开日：20040707
摘要：本发明提供一种不产生弯曲或变形的、高精度、高可靠性的掩模，通过具有包括掩模图形部和至少1个pn结的板状体、为上述pn结供给电流的电流供给部，向上述pn结部通电，能够产生珀耳帖效应，控制上述掩模图形部的温度。此外，提供一种在离子注入技术中能够高精度注入离子的(漏印板)掩模。提供一种不需要形成抗蚀图形的、高精度、高可靠性的离子注入方法。采用该掩模，可不需要形成抗蚀图形地形成高可靠性的离子注入区。
申请人：罗姆股份有限公司,株式会社东芝
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：李香兰
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